Datasheet MJ10023 - NTE Electronics Даташит Транзистор — Даташит

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
• Power Dissipation Pd: 250 Вт
• DC Collector Current: 40 А
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 40 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 5 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 40 А
• Current Ic Continuous a Max: 80 А
• DC Current Gain: 10 А
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 50
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Рассеиваемая мощность максимальная: 250 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 10 В постоянного тока

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - FK 201SA-3
• Fischer Elektronik - WLK 5