Datasheet MJ10021 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 350 В — Даташит

Купить MJ10021 на РадиоЛоцман.Цены — от 508 до 16 831 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans Darlington NPN 350V 60A 250000mW 3Pin(2+Tab) TO-3
ChipWorker Весь мир	MJ10021 Multicomp	508 ₽	Купить
ЧипСити Россия	MJ10021 NTE Electronics	3 864 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	MJ10021 Motorola	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MJ10021	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 350 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJ10021 T-NPN, Si, Darlington w/Base-Emitter Speedup Diode
Description: The MJ10021 is a Darlington transistor in a TO3 type package designed for high-voltage, high- speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

This device is particularly suited for line operated switchmode applications. Features: D Continuous Collector Current - IC = 60A Applications: D Switching Regulators D Inverters D Solenoid and Relay Drivers D AC and DC Motor Controls Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V Collector-Emitter Voltage, VCEO(SUS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0V Collector Current Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250 В
• Power Dissipation Pd: 250 Вт
• DC Collector Current: 60 А
• DC Current Gain Max (hfe): 75
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C

RoHS: есть