Datasheet NTE123AP - NTE Electronics Даташит Транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, TO-92 — Даташит

Купить NTE123AP на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 7 061 ₽ 28 предложений от 15 поставщиков Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
Utmel Весь мир	NTE123AP	от 100 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE123AP NTE Electronics	201 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE123AP NTE Electronics	от 219 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE123AP.	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE123AP Silicon NPN Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE159)
Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0mW/°C Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
• DC Collector Current: 600 мА
• DC Current Gain: 100
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-92
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• RoHS: да