Datasheet NTE130 - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, NPN, 60 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE130 на РадиоЛоцман.Цены — от 50 до 267 ₽ 15 предложений от 10 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 NPN 60V 15A
ЧипСити Россия	NTE130 NTE Electronics	242 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE-130	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE130	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE130. NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Мощность транзистор, NPN, 60 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE130 (NPN) & NTE219 (PNP) Silicon Power Transistor Audio Power Amp, Medium Speed Switch
Description: The NTE130 (NPN) and NTE219 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for general purpose switching and amplifier applications.

Features: D DC Current Gain: hFE = 20 ­ 70 @ IC = 4A D Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.1V (Max) @ IC = 4A D Excellent Safe Operating Area Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Collector­Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Transition Frequency Typ ft: 2.5 МГц
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• DC Collector Current: 15 А
• DC Current Gain Max (hfe): 70

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K