Datasheet NTE159 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 80 В, 0.8 А, TO-92 — Даташит

Купить NTE159 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 310 ₽ 35 предложений от 16 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-18 PNP 60V 0.6A
ТМ Электроникс Россия	NTE159M NTE Electronics	от 199 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE159M	от 251 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE159M	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE159LEADFREE NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, PNP, 80 В, 0.8 А, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE159 Silicon PNP Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE123AP)
Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA Total Device Dissipation (TA = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• DC Collector Current: 800 мА
• DC Current Gain: 50
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-92
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 625 мВт
• RoHS: да