Datasheet NTE159 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 80 В, 0.8 А, TO-92 — Даташит

Купить NTE159 на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 10 964 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
Utmel Весь мир	NTE159M	от 93 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE159M NTE Electronics	117 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE159 NTE Electronics	125 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE159MCP NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, PNP, 80 В, 0.8 А, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE159 Silicon PNP Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE123AP)
Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA Total Device Dissipation (TA = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• DC Collector Current: 800 мА
• DC Current Gain: 50
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-92
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 625 мВт
• RoHS: да