Datasheet NTE159M - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -60 В TO-18 — Даташит

Купить NTE159M на РадиоЛоцман.Цены — от 90 до 10 685 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN
Utmel Весь мир	NTE159M	от 90 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE159M NTE Electronics	114 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE159M NTE Electronics	137 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE159M NTE Electronics	492 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -60 В TO-18

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE123A (NPN) & NTE159M (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE123A (NPN) and NTE159M (PNP) are widely used "Industry Standard" complementary transistors in a TO18 type case designed for applications such as medium­speed switching and amplifiers from audio to VHF frequencies.

Features: D Low Collector Saturation Voltage: 1V (Max) D High Current Gain­Bandwidth Product: fT = 300MHz (Min) @ IC 20mA Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Collector­Base Voltage, VCBO NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60 В
• Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 400 мВт
• DC Collector Current: -600 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 100

RoHS: есть