Datasheet NTE2365 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 800 В — Даташит

Купить NTE2365 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 509 до 192 487 ₽ 21 предложений от 11 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
ЧипСити Россия	NTE2365 NTE Electronics	1 850 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE2365	от 4 865 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE-2365	по запросу	Купить
МосЧип Россия	NTE2365. NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 800 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2365 Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Deflection Output TO3PBL Type Package
Features: D High Speed: tf = 100ns typ D High Reliability D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector to Base Voltage, VCBO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V Collector to Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 800 В
• Power Dissipation Pd: 180 Вт
• DC Collector Current: 15 А
• DC Current Gain Max (hfe): 8
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть