Datasheet NTE261 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220 — Даташит

NTE Electronics NTE261

Наименование модели: NTE261

Купить NTE261 на РадиоЛоцман.Цены — от 206 до 27 547 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	NTE261 NTE Electronics	206 ₽
ЧипСити Россия	NTE261 NTE Electronics	214 ₽
Utmel Весь мир	NTE261	по запросу
Acme Chip Весь мир	NTE261 NTE Electronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and lowspeed switching applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Low CollectorEmitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistor Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
Power Dissipation Pd: 65 Вт
DC Collector Current: 5 А
DC Current Gain Max (hfe): 2500

RoHS: есть