Datasheet NTE272 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 40 В — Даташит

Купить NTE272 на РадиоЛоцман.Цены — от 3 156 до 335 021 ₽ 12 предложений от 8 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 40В; 2А; 10Вт; TO202N
ЧипСити Россия	NTE272 NTE Electronics	3 156 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE272 NTE Electronics	3 358 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE272 NTE Electronics	5 986 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE272	335 021 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 40 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE272 (NPN) & NTE273 (PNP) Silicon Darlington Complementary Power Amplifiers
Description: The NTE272 (NPN) and NTE273 (PNP) are silicon complementary Power Amplifiers in a TO202 type case designed for use in complementary amplifiers and driver applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 25,000 (Min) @ IC = 200mA = 15,000 (Min) @ IC = 500mA D Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CES = 40V @ IC = 500mA D Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V @ IC = 1A D Monolithic Construction for High Reliability Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage (Note 2), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Emitter-Base

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• DC Collector Current: 2 А
• DC Current Gain Max (hfe): 65000
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 289-AB