Datasheet NTE324 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 120 В TO-39 — Даташит

Купить NTE324 на РадиоЛоцман.Цены — от 347 до 45 087 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 120В; 1,5А; 10Вт; TO39
ЧипСити Россия	NTE324 NTE Electronics	347 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE324 NTE Electronics	369 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE324 NTE Electronics	от 997 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE324	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 120 В TO-39

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE323 (PNP) & NTE324 (NPN) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE323 (PNP) and NTE324 (NPN) are complementary silicon epitaxial planer transistors in a TO39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

Absolute Maximum Ratings: Collector­Base Voltage (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Emitter­Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 4 В
• Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
• Power Dissipation Pd: 10 Вт
• DC Collector Current: 1 А
• DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть