Datasheet NTE384 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 350 В — Даташит

Купить NTE384 на РадиоЛоцман.Цены — от 484 до 51 940 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 350В; 7А; 45Вт; TO66
AiPCBA Весь мир	NTE384 NTE Electronics	484 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE384 NTE Electronics	502 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE384 NTE Electronics	от 1 434 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE-384	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 350 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE384 Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp/Switch
Description: The NTE384 is a multiple epitaxial silicon NPN power transistor in a TO66 type package utilizing a multiple­emitter site structure.

Multiple­epitaxial construction maximizes the volt­ampere characteristic of the device and provides fast switching speeds. Multiple­emitter design ensures uniform current flow throughout the structure, which produces a high IS/b and a large safe­operation­area. The NTE384 is characterized for use in inverters operating directly from a rectified 110V power line. The leakage current is specified at 450V; therefore the device can also be used in a series bridge configuration on a 220V line. The VEBO rating of 9V eases requirements on the drive transformer in inverter applications. Features: D Maximum Safe­Area­of­Operation D Low Saturation Voltages D High Voltage Rating: VCER(sus) = 375V D High Dissipation Rating: PT = 45W Absolute Maximum Ratings: Collector­Base Voltage, VCBO . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• DC Collector Current: 7 А
• DC Current Gain Max (hfe): 28
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C

RoHS: есть