Datasheet NTE60 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 140 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE60 на РадиоЛоцман.Цены — от 778 до 105 821 ₽ 23 предложений от 11 поставщиков Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications
ЧипСити Россия	NTE60 NTE Electronics	778 ₽	Купить
Utmel Весь мир	NTE60	от 786 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE60 NTE Electronics	828 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE60	105 821 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 140 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications
Description: The NTE60 (NPN) and NTE61 (PNP) are complementary silicon power transistors in a TO3 type package designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications.

Features: D High Safe Operating Area: 250W @ 50V D For Low Distortion Complementary Designs D High DC Current Gain: hFE = 25 Min @ IC = 5A Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V Collector­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V Emitter­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 140 В
• Transition Frequency Typ ft: 2 МГц
• Power Dissipation Pd: 250 Вт
• DC Collector Current: 20 А
• DC Current Gain Max (hfe): 25

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K