Datasheet DEL5-NTE2321 - NTE Electronics Даташит Транзистор — Даташит

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2321 Silicon NPN Transistor Quad, General Purpose
Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Collector­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Emitter­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Transistor), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65W Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2mW/°C Total Device Dissipation (TA = +25°C, Total Device), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN

Варианты написания:

DEL5NTE2321, DEL5 NTE2321