Datasheet BC850B - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BC850B
![]() 65 предложений от 32 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
BC850B Hottech | от 0.51 ₽ | ||
BC850B Hottech | 1.09 ₽ | ||
BC850B Diotec | от 3.38 ₽ | ||
BC850-B-RTK KEC | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC849; BC850 NPN general purpose transistors
Product data sheet Supersedes data of 1999 Apr 08 2004 Jan 16
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 250 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 2 мА
- Маркировка: BC850B
- Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 200
- Количество транзисторов: 1
- Коэффициент шума максимальный: 4 дБ
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
- SMD Marking: 2F
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901