Datasheet BSP51,115 - NXP Даташит TRANS NPN 80 В 0.1 А SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP51,115
![]() 47 предложений от 20 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт | |||
BSP51,115 Nexperia | 39 ₽ | ||
BSP51,115 Nexperia | 48 ₽ | ||
BSP51,115 NXP | по запросу | ||
BSP51,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN 80 В 0.1 А SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, halfpage
M3D087
BSP50; BSP51; BSP52 NPN Darlington transistors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain: 2000
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
- DC Current Gain Min: 2000
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Darlington
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP51115, BSP51 115