Datasheet PBHV8118T - NXP Даташит Транзистор, NPN, 1 А, 180 В, SOT23 — Даташит
Наименование модели: PBHV8118T
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 1 А, 300 мВт, TO-236AB, Surface Mount | |||
PBHV8118T,215 NXP | 4.85 ₽ | ||
PBHV8118T NXP | от 10 ₽ | ||
PBHV8118T,215 Nexperia | 35 ₽ | ||
PBHV8118T NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 1 А, 180 В, SOT23
Краткое содержание документа:
PBHV8118T
180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
01 -- 7 May 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 180 В
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain: 250
- Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Частота единичного усиления типовая: 30 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)