OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet PBHV8118T - NXP Даташит Транзистор, NPN, 1 А, 180 В, SOT23 — Даташит

NXP PBHV8118T

Наименование модели: PBHV8118T

27 предложений от 13 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 1 А, 300 мВт, TO-236AB, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
PBHV8118T,215
NXP
5.48 ₽
ChipWorker
Весь мир
PBHV8118T,215
NXP
5.48 ₽
PBHV8118T,215
NXP
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
PBHV8118T
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 1 А, 180 В, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBHV8118T
180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

01 -- 7 May 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 180 В
  • DC Collector Current: 1 А
  • DC Current Gain: 250
  • Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Частота единичного усиления типовая: 30 МГц
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet PBHV8118T - NXP TRANSISTOR, NPN, 1 A, 180 V, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России