Datasheet PBSS8110Z - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Power Dissipation Pd: 650 мВт
• DC Collector Current: 1 А
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 1 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 80
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901