Datasheet PDTC114TE,115 - NXP Даташит TRANS, NPN, W/RES, 50 В, SOT-416 — Даташит

Купить PDTC114TE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.62 до 4.45 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75. Transistors - Bipolar...
AllElco Electronics Весь мир	PDTC114TE,115 NXP	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	PDTC114TE,115 NXP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PDTC114TE,115 NXP	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	PDTC114TE,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN, W/RES, 50 В, SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC114T series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = open
Rev.

08 -- 9 February 2006 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 150 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 200
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 10 мА
• DC Current Gain Min: 200
• Тип корпуса: SOT-416
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC114TE115, PDTC114TE 115