Datasheet PDTC114YE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

Купить PDTC114YE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.59 до 79 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75. Transistors - Bipolar...
AiPCBA Весь мир	PDTC114YE,115 NXP	26 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	PDTC114YE.115 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PDTC114YE,115 NXP	по запросу	Купить
Рутоника Россия и страны СНГ	PDTC114YE,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC114Y series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Sep 10 2004 Aug 17
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 150 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 100
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 5 мА
• DC Current Gain Min: 100
• Тип корпуса: SOT-416
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC114YE115, PDTC114YE 115