Datasheet PBSS8110Y,115 - NXP Даташит BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 6-SOT-363 — Даташит
Наименование модели: PBSS8110Y,115
![]() 32 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
PBSS8110Y,115 Nexperia | от 6.60 ₽ | ||
PBSS8110Y,115 Nexperia | 32 ₽ | ||
PBSS8110Y,115 NXP | 97 ₽ | ||
PBSS8110Y,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 6-SOT-363
Краткое содержание документа:
PBSS8110Y
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 21 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 290 мВт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 150
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS8110Y115, PBSS8110Y 115