Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PBSS8110Y,115 - NXP Даташит BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 6-SOT-363 — Даташит

Наименование модели: PBSS8110Y,115

32 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
PBSS8110Y,115
Nexperia
от 6.60 ₽
Maybo
Весь мир
PBSS8110Y,115
Nexperia
32 ₽
727GS
Весь мир
PBSS8110Y,115
NXP
97 ₽
PBSS8110Y,115
NXP
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 6-SOT-363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS8110Y
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

02 -- 21 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
  • Power Dissipation Pd: 290 мВт
  • DC Collector Current: 1 А
  • DC Current Gain Max (hfe): 150

RoHS: есть

Варианты написания:

PBSS8110Y115, PBSS8110Y 115

На английском языке: Datasheet PBSS8110Y,115 - NXP BISS TRANSISTOR, NPN, 100 V, 1 A, 6-SOT-363

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка