Datasheet PBSS8110Z,135 - NXP Даташит BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 4-SOT-223 — Даташит
Наименование модели: PBSS8110Z,135
![]() 41 предложений от 16 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface Mount | |||
PBSS8110Z,135 Nexperia | от 18 ₽ | ||
PBSS8110Z,135 Nexperia | от 33 ₽ | ||
PBSS8110Z,135 Nexperia | 35 ₽ | ||
PBSS8110Z,135 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 4-SOT-223
Краткое содержание документа:
PBSS8110Z
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 8 January 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 650 мВт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 150
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS8110Z135, PBSS8110Z 135