Datasheet PHD13003C,126 - NXP Даташит NPN мощность транзистор, 400 В, 1.5 А, 3-TO-92 — Даташит
Наименование модели: PHD13003C,126
![]() 24 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
PHD13003C,126 NXP | 17 ₽ | ||
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors | 17 ₽ | ||
PHD13003C.126 NXP | 18 ₽ | ||
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors | 35 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: NPN мощность транзистор, 400 В, 1.5 А, 3-TO-92
Краткое содержание документа:
PHD13003C
NPN power transistor with integrated diode
Rev.
01 -- 29 July 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
- DC Collector Current: 1.5 А
- DC Current Gain Max (hfe): 25
- Количество выводов: 3
- Тип корпуса: 3-TO-92
RoHS: есть
Варианты написания:
PHD13003C126, PHD13003C 126