Datasheet BU2508AX - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-399 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, SOT-399

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508AX
GENERAL DESCRIPTION

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 700 В
• Корпус транзистора: SOT-399
• Количество выводов: 3
• Тип корпуса: SOT-399
• DC Current Gain: 4.5 А
• Время спада коллекторного тока: 0.6 мкс
• Ток коллектора максимальный: 8 А
• Ток коллектора постоянный максимальный: 8 А
• Рассеиваемая мощность максимальная: 45 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер максимальное: 1 В
• DC Current Gain Min: 4
• Количество транзисторов: 1
• Power Dissipation: 45 Вт
• Saturation Current Ic: 4.5 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип транзистора: Power High Voltage Switching
• Voltage Vces: 1500 В

RoHS: есть