Datasheet BUX87P - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-82 — Даташит
Наименование модели: BUX87P
![]() 17 предложений от 17 поставщиков Silicon Diffused Power Transistor / Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 42000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-82 | |||
BUX87P NXP | 22 ₽ | ||
BUX87P,127 | по запросу | ||
BUX87P,127(LEADED) STMicroelectronics | по запросу | ||
BUX87P.127 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, SOT-82
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUX86P BUX87P
GENERAL DESCRIPTION
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450 В
- Power Dissipation Pd: 42 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- Корпус транзистора: SOT-82
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 800 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- DC Current Gain: 100 мА
- Время спада коллекторного тока: 0.28 мкс
- DC Current Gain Min: 450
- Расстояние между выводами: 2.29 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-82
- Рассеиваемая мощность максимальная: 42 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vces: 1 кВ
RoHS: есть