Datasheet PDTA123JE,115 - NXP Даташит TRANS PNP 50 В 0.1 А SOT416 — Даташит
Наименование модели: PDTA123JE,115
Купить PDTA123JE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.12 до 238 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов TRANS RET TAPE-7 | |||
PDTA123JE,115 Nexperia | от 1.12 ₽ | ||
PDTA123JE,115 Nexperia | от 1.13 ₽ | ||
PDTA123JE,115 NXP | 4.30 ₽ | ||
PDTA123JE,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP 50 В 0.1 А SOT416
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTA123J series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 14 2004 Aug 02
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-416
- Resistance R1: 2.2 кОм
- Resistance R2: 47 кОм
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PDTA123JE115, PDTA123JE 115