KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet PDTB123ET - NXP Даташит — Даташит

NXP PDTB123ET

Наименование модели: PDTB123ET

36 предложений от 20 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 2.2 кОм
PDTB123ET,215
NXP
0.99 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PDTB123ET.215
Nexperia
2.57 ₽
ЭИК
Россия
PDTB123ET,215
Nexperia
от 6.80 ₽
Akcel
Весь мир
PDTB123ET,215
Nexperia
от 24 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 40
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 40
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 2.2 кОм
  • Resistance R2: 2.2 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB123ET - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России