Datasheet 2N5302G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-3 — Даташит
Наименование модели: 2N5302G
![]() 18 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
2N5302G ON Semiconductor | 226 ₽ | ||
2N5302G ON Semiconductor | 1 006 ₽ | ||
2N5302G ON Semiconductor | по запросу | ||
2N5302G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, TO-3
Краткое содержание документа:
2N5302 High-Power NPN Silicon Transistor
High-power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications.
Features http://onsemi.com
· Low Collector-Emitter Saturation Voltage - ·
VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc Pb-Free Package is Available*
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Частота единичного усиления типовая: 2 МГц
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 30 А
- Корпус транзистора: TO-204AA
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 750 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- DC Current Gain: 60 мА
- DC Current Gain Min: 5
- Тип корпуса: TO-204AA
- Способ монтажа: Through Hole
RoHS: есть