Datasheet BD681G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-225 — Даташит
Наименование модели: BD681G
![]() 44 предложений от 19 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole | |||
BD681G ON Semiconductor | от 51 ₽ | ||
BD681G ON Semiconductor | 74 ₽ | ||
BD681G ON Semiconductor | 79 ₽ | ||
BD681G ON Semiconductor | от 83 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-225
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain: 750
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 40 Вт
- RoHS: да