OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet BD681G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-225 — Даташит

ON Semiconductor BD681G

Наименование модели: BD681G

44 предложений от 19 поставщиков
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole
Lixinc Electronics
Весь мир
BD681G
ON Semiconductor
от 51 ₽
IC Home
Весь мир
BD681G
ON Semiconductor
74 ₽
Элитан
Россия
BD681G
ON Semiconductor
79 ₽
BD681G
ON Semiconductor
от 83 ₽

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-225

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • DC Collector Current: 4 А
  • DC Current Gain: 750
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 40 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BD681G - ON Semiconductor DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100 V, TO-225

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка