Datasheet BUB323ZT4G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, DARLI. — Даташит
Наименование модели: BUB323ZT4G
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 350В; 10А; 150Вт; D2PAK | |||
BUB323ZT4G ON Semiconductor | от 54 ₽ | ||
BUB323ZT4G ON Semiconductor | от 67 ₽ | ||
BUB323ZT4G ON Semiconductor | от 96 ₽ | ||
BUB323ZT4G ON Semiconductor | от 245 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, DARLI.
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
- Transition Frequency Typ ft: 2 МГц
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- DC Collector Current: 10 А
- DC Current Gain: 3.4
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В
- Current Ic Continuous a Max: 10 А
- Частота единичного усиления типовая: 2 МГц
- DC Current Gain Min: 0.5
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power Bipolar
RoHS: есть