Datasheet BUB323ZT4G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, DARLI. — Даташит

Купить BUB323ZT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 273 ₽ 35 предложений от 18 поставщиков TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK. Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK. Transistors -...
ЧипСити Россия	BUB323ZT4G ON Semiconductor	126 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	BUB323ZT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUB323ZT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BUB323ZT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, DARLI.

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Transition Frequency Typ ft: 2 МГц
• Рассеиваемая мощность: 150 Вт
• DC Collector Current: 10 А
• DC Current Gain: 3.4
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В
• Current Ic Continuous a Max: 10 А
• Частота единичного усиления типовая: 2 МГц
• DC Current Gain Min: 0.5
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power Bipolar

RoHS: есть