Datasheet MJ11012G - ON Semiconductor Даташит Транзистор — Даташит

Купить MJ11012G на РадиоЛоцман.Цены — от 116 до 3 241 ₽ 42 предложений от 18 поставщиков TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3. Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3). Transistors...
Рутоника Россия и страны СНГ	MJ11012G ON Semiconductor	330 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MJ11012G ON Semiconductor	990 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MJ11012G ON Semiconductor	от 1 023 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MJ11012G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
MJ11016 is a Preferred Device
High-Current Complementary Silicon Transistors
.

. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• DC Collector Current: 30 А
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Current Ic Continuous a Max: 30 А
• DC Current Gain: 1000
• DC Current Gain Min: 1000
• Тип корпуса: TO-3
• Способ монтажа: Through Hole

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Multicomp - MK3301/S