Datasheet MJ11012G - ON Semiconductor Даташит Транзистор — Даташит
Наименование модели: MJ11012G
Купить MJ11012G на РадиоЛоцман.Цены — от 218 до 2 257 ₽ 31 предложений от 13 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole | |||
MJ11012G ON Semiconductor | 218 ₽ | ||
MJ11012G ON Semiconductor | 465 ₽ | ||
MJ11012G ON Semiconductor | от 2 218 ₽ | ||
MJ11012G ON Semiconductor | от 2 257 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор
Краткое содержание документа:
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
MJ11016 is a Preferred Device
High-Current Complementary Silicon Transistors
.
. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 30 А
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- DC Current Gain: 1000
- DC Current Gain Min: 1000
- Тип корпуса: TO-3
- Способ монтажа: Through Hole
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Multicomp - MK3301/S