Datasheet MJ11012G - ON Semiconductor Даташит Транзистор — Даташит

Купить MJ11012G на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 3 152 ₽ 37 предложений от 14 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole
AllElco Electronics Весь мир	MJ11012G ON Semiconductor	от 113 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MJ11012G ON Semiconductor	от 822 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MJ11012G ON Semiconductor	от 835 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MJ11012G ON Semiconductor	963 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
MJ11016 is a Preferred Device
High-Current Complementary Silicon Transistors
.

. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• DC Collector Current: 30 А
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Current Ic Continuous a Max: 30 А
• DC Current Gain: 1000
• DC Current Gain Min: 1000
• Тип корпуса: TO-3
• Способ монтажа: Through Hole

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Multicomp - MK3301/S