Datasheet MJ11016G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 — Даташит

Купить MJ11016G на РадиоЛоцман.Цены — от 114 до 7 123 ₽ 46 предложений от 22 поставщиков DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3V; Power Dissipation:200W;...
AllElco Electronics Весь мир	MJ11016G ON Semiconductor	от 114 ₽	Купить
Триема Россия	MJ11016G	305 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MJ11016G ON Semiconductor	от 552 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MJ11016G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
MJ11016 is a Preferred Device
High-Current Complementary Silicon Transistors
.

. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• DC Collector Current: 30 А
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-204AA
• Av Current Ic: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 30 А
• Current Ic Continuous a Max: 30 А
• DC Current Gain: 20 А
• Маркировка: MJ11016
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 4 МГц
• DC Current Gain Min: 1000
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
• Semelab - MJ11032