Datasheet MJ11032G - ON Semiconductor Даташит Транзистор — Даташит
Наименование модели: MJ11032G
![]() 40 предложений от 21 поставщиков TRANSISTOR; Transistor Type:NPN; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:50A; Voltage, Vce Sat Max:3.5V; Power Dissipation:300mW; Hfe, Min:400; Case... | |||
MJ11032G ON Semiconductor | 464 ₽ | ||
MJ11032G ON Semiconductor | 489 ₽ | ||
MJ11032G ON Semiconductor | от 1 870 ₽ | ||
MJ11032G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор
Краткое содержание документа:
MJ11028, MJ11030, MJ11032 (NPN) MJ11029, MJ11033 (PNP) High-Current Complementary Silicon Power Transistors
High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features
http://onsemi.com
· High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc · · · · ·
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- DC Collector Current: 50 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+200°C
- Корпус транзистора: TO-204
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Current Ic Continuous a Max: 50 А
- DC Current Gain: 18
- DC Current Gain Min: 400
- Тип корпуса: TO-204
- Способ монтажа: Through Hole
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Semelab - MJ11032