Datasheet MJE13007G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-220 — Даташит
Наименование модели: MJE13007G
![]() 61 предложений от 25 поставщиков Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole | |||
MJE13007G ON Semiconductor | 71 ₽ | ||
MJE13007G ON Semiconductor | от 85 ₽ | ||
MJE13007G | 92 ₽ | ||
MJE13007G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, TO-220
Краткое содержание документа:
MJE13007G SWITCHMODEt
NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
The MJE13007G is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical.
It is particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.
Features http://onsemi.com
POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 400 VOLTS - 80 WATTS
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Частота единичного усиления типовая: 14 МГц
- Power Dissipation Pd: 80 Вт
- DC Collector Current: 8 А
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Код применяемости: PHVS
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 8 А
- Current Ic @ Vce Sat: 5 А
- Current Ic Continuous a Max: 5 А
- DC Current Gain: 5 мА
- Время спада коллекторного тока: 700 мс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Частота единичного усиления минимальная: 4 МГц
- DC Current Gain Min: 5
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220
- Рассеиваемая мощность максимальная: 80 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 10 В постоянного тока
- Voltage Vces: 700 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5