Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet MJE13009G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-220 — Даташит

ON Semiconductor MJE13009G

Наименование модели: MJE13009G

15 предложений от 12 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220AB NPN 400V 12A
Триема
Россия
MJE13009G-T3N-T
Inchange Semiconductor
106 ₽
Контест
Россия
MJE13009G
155 ₽
IC Home
Весь мир
MJE13009G
ON Semiconductor
по запросу
Augswan
Весь мир
MJE13009G
ON Semiconductor
по запросу

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE13009G SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power Transistors
The MJE13009G is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical.

They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.
Features http://onsemi.com
· VCEO(sus) 400 V and 300 V · Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = 100_C · Inductive Switching Matrix 3 to 12 Amp, 25 and 100_C tc @ 8 A, · 700 V Blocking Capability · SOA and Switching Applications Information · These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*
MAXIMUM RATINGS

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Частота единичного усиления типовая: 4 МГц
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • DC Collector Current: 12 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
  • Код применяемости: PHVS
  • Av Current Ic: 12 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 12 А
  • Current Ic @ Vce Sat: 8 А
  • Current Ic Continuous a Max: 12 А
  • DC Current Gain: 8 мА
  • Маркировка: MJE13009
  • Время спада коллекторного тока: 0.7 мкс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Частота единичного усиления минимальная: 4 МГц
  • DC Current Gain Min: 6
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-220
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 100 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 10 В постоянного тока
  • Voltage Vces: 700 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet MJE13009G - ON Semiconductor TRANSISTOR, NPN, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка