Datasheet MJF18004G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, ISOWATT-220 — Даташит

ON Semiconductor MJF18004G

Наименование модели: MJF18004G

Купить MJF18004G на РадиоЛоцман.Цены — от 1.63 до 341 ₽ 44 предложений от 20 поставщиков Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 450 В, 5 А, 280 мВт, ISOWATT-220, Through Hole
727GS Весь мир	MJF18004G ON Semiconductor	1.63 ₽
AllElco Electronics Весь мир	MJF18004G ON Semiconductor	от 21 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	MJF18004G ON Semiconductor	65 ₽
AiPCBA Весь мир	MJF18004G ON Semiconductor	136 ₽

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, ISOWATT-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE18004G, MJF18004G SWITCHMODEt
NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
The MJE/MJF18004G have an applications specific state-of-the-art die designed for use in 220 V line-operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts.
Features
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450 В
Частота единичного усиления типовая: 13 МГц
Power Dissipation Pd: 35 Вт
DC Collector Current: 5 А
Корпус транзистора: ISOWATT-220
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
Ток коллектора постоянный максимальный: 5 А
Current Ic @ Vce Sat: 1 А
Current Ic Continuous a Max: 5 А
DC Current Gain: 1 мА
Время спада коллекторного тока: 0.4 мкс
Full Power Rating Temperature: 25°C
DC Current Gain Min: 12
Напряжение изоляции: 2 кВ
Расстояние между выводами: 2.54 мм
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: ISOWATT-220
Рассеиваемая мощность максимальная: 35 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Обратный ток перехода база-коллектор: 10 В постоянного тока
Voltage Vces: 1 кВ

RoHS: есть