Datasheet MJF18004G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, ISOWATT-220 — Даташит

Купить MJF18004G на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 341 ₽ 31 предложений от 16 поставщиков Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 450 В, 5 А, 280 мВт, ISOWATT-220, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220] ON Semiconductor	31 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	MJF18004G ON Semiconductor	71 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MJF18004G	от 228 ₽	Купить
Триема Россия	MJF18004G ON Semiconductor	341 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, ISOWATT-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE18004G, MJF18004G SWITCHMODEt
NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
The MJE/MJF18004G have an applications specific state-of-the-art die designed for use in 220 V line-operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts.
Features
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450 В
• Частота единичного усиления типовая: 13 МГц
• Power Dissipation Pd: 35 Вт
• DC Collector Current: 5 А
• Корпус транзистора: ISOWATT-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 5 А
• Current Ic @ Vce Sat: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 5 А
• DC Current Gain: 1 мА
• Время спада коллекторного тока: 0.4 мкс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 12
• Напряжение изоляции: 2 кВ
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: ISOWATT-220
• Рассеиваемая мощность максимальная: 35 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Обратный ток перехода база-коллектор: 10 В постоянного тока
• Voltage Vces: 1 кВ

RoHS: есть