Datasheet MMBT2222LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор — Даташит
Наименование модели: MMBT2222LT1G
![]() 51 предложений от 21 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 0,6А; 0,225/0,3Вт; SOT23 | |||
MMBT2222LT1G ON Semiconductor | от 1.14 ₽ | ||
MMBT2222LT1G ON Semiconductor | 2.26 ₽ | ||
MMBT2222LT1G ON Semiconductor | 12 ₽ | ||
MMBT2222LT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор
Краткое содержание документа:
MMBT2222LT1G, MMBT2222ALT1G General Purpose Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 250 МГц
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- DC Collector Current: 600 мА
- DC Current Gain: 250
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 30 В
- Current Ic Continuous a Max: 600 мА
- Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
- DC Current Gain Min: 30
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть