Datasheet MMBTH10LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN — Даташит

Купить MMBTH10LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.46 до 36 ₽ 50 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
ICdarom.ru Россия	MMBTH10LT1G ON Semiconductor	от 3.84 ₽	Купить
Триема Россия	MMBTH10LT1G ON Semiconductor	9.00 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	MMBTH10LT1G	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	MMBTH10LT1G(PBFREE)/ON Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE Symbol VCEO VCBO VEBO Value 25 30 3.0 Unit Vdc Vdc Vdc 2 EMITTER
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• DC Collector Current: 4 мА
• DC Current Gain: 60
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Частота единичного усиления типовая: 650 МГц
• DC Current Gain Min: 60
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть