Datasheet 2N6341G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 150 В, TO-3 — Даташит

Купить 2N6341G на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 1 012 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 NPN 150V 25A
ChipWorker Весь мир	2N6341G ON Semiconductor	34 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	2N6341G ON Semiconductor	683 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	2N6341G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2N6341G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 150 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ON Semiconductort
High-Power NPN Silicon Transistors
.

. . designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications. · High Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - 2N6338 = 150 Vdc (Min) - 2N6341 · High DC Current Gain - hFE = 30 - 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc · Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc · Fast Switching Times @ IC = 10 Adc tr = 0.3 ms (Max) ts = 1.0 ms (Max) tf = 0.25 ms (Max)
2N6338 2N6341*
*ON Semiconductor Preferred Device

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 150 В
• Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• DC Collector Current: 25 А
• DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть