Datasheet MMBTA13LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 30 В — Даташит
Наименование модели: MMBTA13LT1G
![]() 53 предложений от 21 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,3А; 0,225Вт; SOT23 | |||
MMBTA13LT1G ON Semiconductor | 3.16 ₽ | ||
MMBTA13LT1G | по запросу | ||
MMBTA13LT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
MMBTA13LT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 30 В
Краткое содержание документа:
MMBTA13LT1G, MMBTA14LT1G Darlington Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 125 МГц
- Power Dissipation Pd: 300 мВт
- DC Collector Current: 300 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 10000
RoHS: есть