Datasheet MJ11015G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 — Даташит

Наименование модели: MJ11015G
Купить MJ11015G на РадиоЛоцман.Цены — от 122 до 1 399 ₽58 предложений от 26 поставщиков TRANS PNP DARL 120V 30A TO3. Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3). Transistors... | |||
| MJ11015G ON Semiconductor | 450 ₽ | ||
| MJ11015G ON Semiconductor | 555 ₽ | ||
| MJ11015G ON Semiconductor | от 1 283 ₽ | ||
| MJ11015G ON Semiconductor | от 1 399 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
Краткое содержание документа:
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
MJ11016 is a Preferred Device
High-Current Complementary Silicon Transistors
.
. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 30 А
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: -3 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 30 А
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- DC Current Gain: 20 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Частота единичного усиления минимальная: 4 МГц
- DC Current Gain Min: 1000
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - SK 04/50 SA

Купить MJ11015G на РадиоЛоцман.Цены




