Datasheet MJ11021G - ON Semiconductor Даташит Транзистор — Даташит

Купить MJ11021G на РадиоЛоцман.Цены — от 130 до 8 582 ₽ 34 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	MJ11021G	668 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MJ11021G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	MJ11021G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	MJ11021G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJ11021(PNP) MJ11022 (NPN) Complementary Darlington Silicon Power Transistors
Complementary Darlington Silicon Power Transistors are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.
Features http://onsemi.com
· High dc Current Gain @ 10 Adc - hFE = 400 Min (All Types) · Collector-Emitter Sustaining Voltage · Low Collector-Emitter Saturation
VCE(sat) VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJ11022, 21 = 1.0 V (Typ) @ IC = 5.0 A = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A 100% SOA Tested @ VCE = 44 V IC = 4.0 A t = 250 ms Pb-Free Packages are Available*

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250 В
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• DC Collector Current: 15 А
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-204
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• DC Current Gain: 15
• DC Current Gain Min: 0.4
• Тип корпуса: TO-204

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Multicomp - MK3301/S