Datasheet MJE5852G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, PNP, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: MJE5852G
![]() 51 предложений от 24 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole | |||
MJE5852G ON Semiconductor | 239 ₽ | ||
MJE5852G ON Semiconductor | от 434 ₽ | ||
MJE5852G ON Semiconductor | от 452 ₽ | ||
MJE5852G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, PNP, TO-220AB
Краткое содержание документа:
MJE5850, MJE5851, MJE5852
MJE5851 and MJE5852 are Preferred Devices
SWITCHMODEt Series PNP Silicon Power Transistors
The MJE5850, MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.
They are particularly suited for line operated SWITCHMODE applications.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Power Dissipation Pd: 80 Вт
- DC Collector Current: 8 А
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Код применяемости: PHVS
- Av Current Ic: 8 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 8 А
- Ток базы: 4 А
- Current Ic @ Vce Sat: 4 А
- Current Ic Continuous a Max: 8 А
- DC Current Gain: 5 мА
- Маркировка: MJE5852
- External Depth: 4.82 мм
- Внешняя длина / высота: 30.02 мм
- Внешняя ширина: 10.28 мм
- Время спада коллекторного тока: 0.5 мкс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 5
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -65°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.25°C/W
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220AB
- Рассеиваемая мощность максимальная: 80 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vces: 450 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5