Datasheet MJD117-1G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD117-1G
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А, 20 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD117-1G ON Semiconductor | от 42 ₽ | ||
MJD117-1G ON Semiconductor | 54 ₽ | ||
MJD117-1G ON Semiconductor | 65 ₽ | ||
MJD117-1G ON Semiconductor | 69 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ, ft: 25 МГц
- Рассеиваемая мощность: 20 Вт
- DC Collector Current: -2 А
- DC Current Gain Max (hfe): 12
RoHS: есть
Варианты написания:
MJD1171G, MJD117 1G