Datasheet MJD117T4G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD117T4G
![]() 33 предложений от 16 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А, 1.75 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD117T4G Rochester Electronics | от 7.08 ₽ | ||
MJD117T4G ON Semiconductor | 25 ₽ | ||
MJD117T4G ON Semiconductor | от 53 ₽ | ||
MJD117T4G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK
Краткое содержание документа:
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) Complementary Darlington Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Features http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · ·
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100 В
- Transition Frequency Typ ft: 25 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
- DC Collector Current: -2 А
RoHS: есть