Datasheet MJD127T4G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD127T4G
![]() 49 предложений от 22 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:... | |||
MJD127T4G ON Semiconductor | от 8.38 ₽ | ||
MJD127T4G | 12 ₽ | ||
MJD127T4G ON Semiconductor | от 96 ₽ | ||
MJD127T4G ON Semiconductor | от 97 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 4 МГц
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- DC Collector Current: -8 А
- DC Current Gain Max (hfe): 12
RoHS: есть