Datasheet MJD350G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит

Купить MJD350G на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 192 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные
Элитан Россия	MJD350G ON Semiconductor	28 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MJD350G ON Semiconductor	от 44 ₽	Купить
Эиком Россия	MJD350G ON Semiconductor	от 47 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MJD350G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
• Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
• DC Collector Current: 500 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 240
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

RoHS: есть