Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet MJD350G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит

ON Semiconductor MJD350G

Наименование модели: MJD350G

13 предложений от 12 поставщиков
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 15 W Surface Mount DPAK
727GS
Весь мир
MJD350G
ON Semiconductor
10 ₽
Maybo
Весь мир
MJD350G
ON Semiconductor
196 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
MJD350G
ON Semiconductor
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
MJD350G
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
  • Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 240
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJD350G - ON Semiconductor BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка