Datasheet MJD350G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит
Наименование модели: MJD350G
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 15 W Surface Mount DPAK | |||
MJD350G ON Semiconductor | 10 ₽ | ||
MJD350G ON Semiconductor | 196 ₽ | ||
MJD350G ON Semiconductor | по запросу | ||
MJD350G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 240
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
RoHS: есть