Datasheet MJD350G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит
![]()
Наименование модели: MJD350G
Купить MJD350G на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 197 ₽14 предложений от 13 поставщиков TRANS PNP 300V 0.5A DPAK. Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK. Transistors - Bipolar (BJT) - Single... | |||
| MJD350G | по запросу | ||
| MJD350G ON Semiconductor | по запросу | ||
| MJD350G ON Semiconductor | по запросу | ||
| MJD350G | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 240
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
RoHS: есть

Купить MJD350G на РадиоЛоцман.Цены




