Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet MJD350G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит

ON Semiconductor MJD350G

Наименование модели: MJD350G

14 предложений от 13 поставщиков
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK. Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK. Transistors - Bipolar (BJT) - Single...
MJD350G
по запросу
Рутоника
Россия и страны СНГ
MJD350G
ON Semiconductor
по запросу
727GS
Весь мир
MJD350G
ON Semiconductor
по запросу
SUV System
Весь мир
MJD350G
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
  • Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 240
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJD350G - ON Semiconductor BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка