Datasheet MJD45H11-1G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -80 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD45H11-1G
![]() 42 предложений от 17 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт, TO-251, Through Hole | |||
MJD45H11-1G ON Semiconductor | 12 ₽ | ||
MJD45H11-1G ON Semiconductor | от 44 ₽ | ||
MJD45H11-1G ON Semiconductor | от 44 ₽ | ||
MJD45H11-1G ON Semiconductor | от 125 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, PNP, -80 В, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Transition Frequency Typ ft: 90 МГц
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- DC Collector Current: -8 А
- DC Current Gain Max (hfe): 60
RoHS: есть
Варианты написания:
MJD45H111G, MJD45H11 1G