Datasheet MJE271G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -100 В, TO-225 — Даташит

ON Semiconductor MJE271G

Наименование модели: MJE271G

Купить MJE271G на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 694 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225. Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA. Transistors -...
AiPCBA Весь мир	MJE271G ON Semiconductor	38 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	MJE271G ON Semiconductor	по запросу
Рутоника Россия и страны СНГ	MJE271G ON Semiconductor	по запросу
SUV System Весь мир	MJE271G	по запросу

Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -100 В, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE270 (NPN), MJE271 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors
Features
· High Safe Operating Area · · ·
http://onsemi.com
IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min) Pb-Free Packages are Available*

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
Transition Frequency Typ ft: 6 МГц
Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
DC Collector Current: 2 А
DC Current Gain Max (hfe): 1500

RoHS: есть