Datasheet MJE271G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -100 В, TO-225 — Даташит
Наименование модели: MJE271G
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-225 PNP 100V 2A | |||
MJE271G ON Semiconductor | 33 ₽ | ||
MJE271G ON Semiconductor | 33 ₽ | ||
MJE271G ON Semiconductor | по запросу | ||
MJE271G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -100 В, TO-225
Краткое содержание документа:
MJE270 (NPN), MJE271 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors
Features
· High Safe Operating Area · · ·
http://onsemi.com
IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min) Pb-Free Packages are Available*
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 6 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
- DC Collector Current: 2 А
- DC Current Gain Max (hfe): 1500
RoHS: есть